電子陶瓷（如MLCC、壓電陶瓷、微波介質陶瓷等）的性能對原料純度極為敏感，微量雜質即可導致介電損耗增加、燒結異常或絕緣性能下降。大明化學高純度氧化鋁球（99.99%）憑借其超低雜質含量和穩定的化學性質，成為電子陶瓷漿料研磨的選介質。以下是其減少雜質污染的關鍵機制：
普通氧化鋁球（純度99.5%~99.9%）含有較多Na、K、Fe、Si等雜質，在研磨過程中會逐漸溶出并混入漿料，而高純度氧化鋁球（如大明化學TB系列）的雜質含量極低：
| 雜質元素 | 普通氧化鋁球 (ppm) | 大明化學高純氧化鋁球 (ppm) |
|---|---|---|
| Na | 50~200 | ≤8 |
| K | 30~150 | ≤4 |
| Fe | 50~300 | ≤8 |
| Si | 100~500 | ≤10 |
Na/K 等堿金屬會降低陶瓷的介電性能，并可能在燒結時形成低熔點相，導致結構缺陷。
Fe/Cr 等過渡金屬可能引入電子導電性，影響絕緣陶瓷的電阻率。
Si 過量會改變陶瓷的燒結行為，導致致密化不均勻。
高純度氧化鋁球磨損率更低（僅普通球的1/7），進一步減少雜質溶出量，確保電子陶瓷粉體的化學穩定性。
電子陶瓷（如MLCC）在高應用中（如汽車電子、5G基站）需長期穩定工作，而鈾（U）、釷（Th）等放射性元素的α衰變可能導致微觀結構損傷，影響器件壽命。
普通氧化鋁球可能含 U:10~50ppb, Th:15~60ppb，而大明化學高純氧化鋁球控制在 U<4ppb, Th<5ppb，減少長期使用中的輻射風險。
這一點在高可靠MLCC（如車規級X7R/X8R）生產中尤為重要。
電子陶瓷漿料可能含有機溶劑、分散劑或弱酸性/堿性成分，普通氧化鋁球在長期研磨中可能發生表面腐蝕，釋放Al3?等金屬離子，影響漿料穩定性。
大明化學氧化鋁球采用α-Al?O?晶相，化學穩定性強，耐酸堿（pH 2~12），在漿料中幾乎無溶出。
實驗顯示，在pH=4的漿料中研磨48小時，普通氧化鋁球重量損失達0.5%，而高純氧化鋁球僅0.01%。
電子陶瓷漿料需要納米級均勻分散，普通研磨球因粒徑分布寬，易造成局部過磨或研磨不足，導致漿料團聚或顆粒粗化。
大明化學提供φ0.1mm~0.5mm超細氧化鋁球，適合納米級研磨（如BaTiO?介電粉體）。
磨損后仍保持球形，減少不規則顆粒對漿料的剪切破壞。
| 問題 | 普通氧化鋁球的影響 | 高純氧化鋁球的解決方案 |
|---|---|---|
| 堿金屬污染（Na/K） | 介電損耗↑，燒結異常 | 超低Na/K含量（<10ppm） |
| 過渡金屬污染（Fe） | 絕緣性能下降 | Fe含量<8ppm，減少導電風險 |
| 放射性元素（U/Th） | 長期可靠性風險 | U<4ppb, Th<5ppb，符合高標 |
| 漿料穩定性 | 金屬離子溶出，粘度變化 | 耐腐蝕，無溶出，漿料更穩定 |
| 分散均勻性 | 顆粒團聚，影響燒結致密性 | 超細粒徑（0.1mm），均勻研磨 |
因此，在高電子陶瓷（如MLCC、LTCC、壓電陶瓷）生產中，高純度氧化鋁球已成為行業標配，確保材料純凈度和器件可靠性。
