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磁控濺射儀MSP-1S的原理分析
圖中可以看出存在e，e1, e2, e3四種電子，除此之外，還存在Ar和其分離出的Ar+離子 ；施加電場E，方向向下；靶材置于陰極。
一、電場E的作用
電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。
在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動，它們的運(yùn)動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。
隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。
二、磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程
入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動的足夠動量，離開靶被濺射出來。
三、磁控濺射一般分為直流濺射和射頻濺射
磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。
該設(shè)備專用于貴金屬薄膜鍍膜，用于SEM觀察。這是一種用貴金屬涂覆 SEM 樣品以防止充電并提高二次電子產(chǎn)生效率的裝置。除了使用磁控管靶電極進(jìn)行低壓放電外，還將樣品臺制成浮動式，以減少電子束流入對樣品造成的損壞。操作簡單，按一下按鈕即可，沒有任何技巧。它很小，不占用太多空間。它放在辦公桌的一角會很有用。
目的
這是用于SEM樣品的金屬鍍膜裝置。
主要產(chǎn)品規(guī)格
| 物品 | 規(guī)格 |
| 電源 | AC100V（單相100V 10A）3P帶地插頭1口 |
| 旋轉(zhuǎn)泵 | 10L/min（裝置內(nèi)置） |
| 設(shè)備尺寸 | 寬200mm x 深350mm x 高345mm （設(shè)備重量：14.6Kg） |
| 樣品室尺寸 | 內(nèi)徑120mm x 高65mm（硬玻璃） |
| 樣品臺尺寸 | 直徑50mm（浮動法） |
| 電極-樣品臺距離 | 35mm（使用輔助樣品臺時(shí)為25mm） |
| 靶電極 | 內(nèi)置永磁體的磁控管型靶電極 |
| 目標(biāo)金屬規(guī)格 | Φ51mm，厚度0.1mm Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd、Ag |
