日本沃康valcom壓力傳感器的工作原理
在硅芯片受壓部（硅膜片）中，與通常的IC制造工序相同，通過雜質擴散形成硅量規。
當壓力施加到硅芯片上時，表電阻根據撓度變化，并轉換為電信號。（磁阻效應）
該量規的特征在于大的量規比。（金屬規格為2-3，硅規格為10到100）。
結果，可以獲得高輸出，使得可以用厚的膜片來制造，并且改善了壓力傳感器的耐壓性。
半導體壓力傳感器
VDP4，VSW2（用于低壓）等
半導體膜片式壓力傳感器是與測量介質直接接觸的具有高耐腐蝕性的金屬膜片（相當于Hastelloy C-22，SUS316L等），以及通過壓力傳感器檢測壓力的硅芯片（硅膜片）。密封的硅油。）用于雙隔膜方法。
SUS316L膜片（或等效的Hastelloy C-22等）通過壓力入口與測量介質直接接觸，可以穩定地測量未浸入其中的介質（空氣，水，油等）。 .. [當連接螺釘的形狀為G3 / 8時，將使用O形圈（氟橡膠）來密封管道。]
半導體膜片式壓力傳感器
VESW，VESX，VESY，VESZ，VHR3，VHG3，VAR3，VAG3，VPRNP，VPNPR，VPNPG，VNF，HS1，HV1，AS1，AV1，NS1，NV1，VESI，VESV，VSW2，VST等。
應變片式壓力傳感器的結構和操作說明
左側所示的電阻橋安裝在受壓部的金屬膜的背面，將施加壓力時金屬膜的變形量檢測為電壓變化。
由于在金屬膜片表面上有一些應變量大的地方和有應變量小的地方，所以安裝了四個電阻器，即使應變量有偏差，也可以正確地檢測到。
應變片式壓力傳感器
VSD4，NSMS-A6VB，HSSC，HSSC-A6V，VHS，VHST，HSMC2，HSMC，VPE，VPB，VPRT，VPRTF，VPRQ，VPRQF，VPVT，VPVTF，VPVQ，VPVQF，VPRF，VFM，VF ，VFS，VTRF，VPRF2，VPRH2等。
我們的薄膜壓力傳感器使用隔膜型，并使用金屬規格的薄膜。當從壓力入口施加壓力時，膜片變形，并且檢測到由在膜片上形成的金屬規格薄膜的變形引起的電阻變化。
它具有比應變儀型壓力傳感器更高的靈敏度輸出，并且比半導體型壓力傳感器具有更低的溫度系數的特性。
VSW2
當在金屬量規薄膜上施加壓力并且在輸入端有電流流動時發生變形時，它表現為輸出側電信號的變化。
